【48812】电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器材芯片产品资料

  MAX9111/MAX9113单路/双路低压差分信号(LVDS)接收器专为需求超小功耗、空间和噪声的高速使用而规划。这两款器材均支撑超越500Mbps的开关速率，一同选用+3.3V单电源供电，并具有激光打印机和数码复印机等高分辨率成像使用所需的300ps（最大值）超低脉冲偏斜。MAX9111为单路LVDS接收器，MAX9113为双路LVDS接收器。这两款器材

  ADuCM363是彻底集成的3.9 kSPS、24位数据收集体系，在单芯片上集成双核高功能多通道Σ-Δ型模数转换器(ADC)、32位ARM Cortex™-M3处理器和Flash/EE存储器。在有线和电池供电使用中，ADuCM362/ADuCM363规划为与外部精细传感器直接衔接。ADuCM363集成了ADuCM362的悉数功用，不过它仅有一个24位Σ-Δ

  AD8015是一款宽带宽、单电源跨阻扩大器，针对光纤接收器电路使用进行了优化。它是一款完好的单芯片解决方案，用于将光电二极管电流转换为差分电压输出。240 MHz带宽使该器材能够使用于数据速率最高达155 Mbps的FDDI接收器和SONET/SDH接收器。此高带宽特性支撑300 Mbps以上的数据速率。差分输出能够直接驱动ECL，或许驱动一个比较器/光纤后

  HMC750是一款限幅扩大器，支撑高达12.5 Gbps的数据传输速率。 该扩大器可在各种输入电压电平范围内作业，供给稳定的差分输出摆幅。 HMC750还具有输出电平操控引脚VC1,，可用于损耗补偿或信号电平优化。 差分输出信号摆幅可调理至880 mVp-p。高于3 mVp-p的输入信号可扩大至880 mVp-p差分饱满信号。一切HMC750单端输入信号经过

  DS12885、DS12887和DS12C887实时时钟(RTC)可用来直接代替DS1285和DS1287。该器材供给一个实时时钟/日历、守时闹钟、三个可屏蔽中止(共用一个中止输出)、可编程方波输出和114字节的电池备份静态RAM (DS12C887和DS12C887A包含113字节RAM)。DS12887在24引脚模块DIP封装内集成了晶体和锂电池。DS

  600 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管选用 MPS（兼并 PiN 肖特基）规划，比规范肖特基势垒二极管愈加巩固牢靠。一同购买时，将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可完成更高功率和更低组件价格的强壮组合。 特征随温度改变

  具有预涂热界面资料的 1200 V、6 mΩ、GM3、半桥 SiC 功率模块Wolfspeed 的 CAB006M12GM3 是一款选用半桥装备的无底板电源模块，具有预涂热界面资料，可满意中等功率使用的要求，供给跨电力电子接连体的解决方案。关于想要在紧凑的行业规范封装中提高功率和功率密度的规划人员来说，Wolfspeed WolfPACK™ 模块是一个不错的

  2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率扩大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。与硅或砷化镓比较，GaN具有更优越的功能；包含更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，Ga

  25-W；18.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed的CGHV1J025D是高压；碳化硅衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）；选用 0.25μm 栅极长度制作工艺。该 GaN-on-SiC 产品具有杰出的高频特性；高功率的特色。它很适合在 40 V 电压下作业频率为 10 MHz 至 18 GHz 且具有高击穿电压的各种应

  70-W；18.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV1J070D 是一款碳化硅衬底上的高压氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；选用 0.25μm 栅极长度制作工艺。该 GaN-on-SiC 产品具有杰出的高频特性；高功率的特色。它很适合在 40 V 电压下作业频率为 10 MHz 至 18 GHz 且具有